このたび弊社は台湾の SiC メーカーHestia Power社（http://www.hestia-power.com）

と代理店契約を締結しました。

Hestia Power社（Hestia Power Inc.）は、台湾Hermes Epitek社（従業員約1500人の半導体及びオプトエレクトロニクの総合企業）のグループ会社で、Wide Band-gap パワー半導体の開発、設計及び販売を行っている会社です。

○設立：2013年4月
○資本金：NTD250M（約9憶3000万円）
○製造　前工程：EPISIL Technologies(Hermes Epitekグループのファンドリー会社）
○後工程：外注
・SiC SBD : 650V/1200V品は量産、1700V/3300V品は開発中です。
・SiC MOSFET：650V/1200V品は量産、1700V/3300V品は開発中です。

SiCはSiと比較してオン抵抗が非常に小さい、高耐圧に出来る、高耐熱（Tj（ジャンクション温度）が高い（Siは製品によって様々ですがIGBTは最大175℃、SiC MOSFETは300℃以上）、低熱抵抗、高速スイッチングが可能等のメリットがある、理想的なパワー半導体です。

SiCを使用すれば、損失が大幅に下がるためヒートシンク等を小さくできますし、

また変換効率が非常に高く、製品を非常に小さくする事ができます。

是非この機会にご検討頂けますよう、宜しくお願い申し上げます。

Hestia Power 社製SiCに関するお問い合わせ

株式会社英知コーポレーション

海外事業部（木村・田中（満））、技術部（渋谷）

電話：03-5348-7716